[2011年10月31日]

太阳能电池材料硒化锡纳米线化学合成取得进展

 

 

硒化锡是一种重要的IV-VI族半导体,其体相材料的间接带隙为0.90 eV,直接带隙为1.30 eV,可以吸收太阳光谱的绝大部分;作为一种相对地球丰富的、环境友好且化学稳定的半导体材料,硒化锡是新型太阳能电池潜在候选材料之一。因此其纳米材料的合成受到人们关注。在本工作中利用溶液化学的优势,采用晶种诱导的方法首次生长了直径约20 nm的SnSe单晶纳米线,长度从数百纳米到数十微米可调。光谱表征表明硒化锡单晶纳米线显示明显的量子限域效应:其间接和直接带隙分别达到1.12 eV和1.55 eV, 分别与太阳能电池材料Si和CdTe的帯隙非常接近,显示出该材料在发展新型太阳能电池方面的潜力。目前该制备方法已经申报国家发明专利。

同时,研究小组还与中科院长春光机所的刘星元研究员合作,组装了基于P3HT和SnSe纳米线的杂化太阳能电池,初步考察了硒化锡单晶纳米线的光电性能。

该工作受到太阳能行动计划以及中科院百人计划的支持。

 

 

Article
Solution-Phase Synthesis and Characterization of Single-Crystalline SnSe Nanowires
Sheng Liu, Xiaoyang Guo, Mingrun Li, Wen-Hua Zhang*, Xingyuan Liu*, Can Li*
Angew. Chem. Int. Ed.,2011, DOI:10.1002/anie.201105614.


http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.201105614/pdf

 

 

 

 

 

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